В прошлом году пути-дорожки компаний Intel и Micron окончательно разошлись. Каждая из них приступила к самостоятельной разработке как памяти 3D XPoint, так и многослойной флеш-памяти 3D NAND. Что там с памятью 3D XPoint, пока не ясно, но с проектированием 3D NAND секретов нет. Intel осталась на старой архитектуре ячейки с плавающим затвором, а Micron перешла на ячейку с ловушкой заряда.
В ходе последней отчётной квартальной конференции глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил, что память 3D NAND на новой архитектуре ячейки компания начнёт выпускать в текущем квартале с получением первой выручки от этого в следующем квартале. Добавим, это будут 128-слойные микросхемы. Тем самым Micron не только перейдёт на новую архитектуру ячеек, но также войдёт в клуб производителей 3D NAND с числом активных слоёв свыше 100. Вне этого «клуба» останется только Intel.
Ячейка флеш-памяти с ловушкой заряда или charge-trapping flash (CTF) в разы компактнее по сравнению с ячейкой с плавающим затвором. Это означает, что плотность записи у CTF-памяти много больше, чем у памяти на FG-ячейке. Рост плотности записи означает снижение себестоимости и выпуск более ёмких кристаллов памяти, что можно только приветствовать. И Samsung, и SK Hynix давно выпускают память на ячейке с ловушкой заряда. С условно отсталой технологией FG-ячейки осталась только компания Intel. Но она начинает терять интерес к производству флеш-памяти и может вовсе прикрыть это направление. Зачем же ей инвестиции в новые технологии? Вопрос риторический.
Продукты Micron на 128-слойной памяти 3D NAND начнут появляться этим летом. Сегодня нельзя сказать, какие модели SSD или какие флеш-накопители первыми примерят на себя новую память компании. Производителю ещё предстоит пройти путь от выпуска опытных партий до массового производства со всеми вытекающими проблемами. Надеемся, Micron с честью выдержит это испытание.
Источник: 3dnews
